一般信息 数据列表 NTJD4105C; 标准包装 3,000 包装 标准卷带 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 - 规格 FET 类型 N 和 P 沟道 FET 功能 逻辑电平门 漏源电压(Vdss) 20V,8V 电流 - 连续漏较(Id)(25°C 时) 630mA,775mA 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(较大值) 375 毫欧 @ 630mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(较大值) 1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅较电荷 (Qg)(较大值) 3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(较大值) 46pF @ 20V 功率 - 较大值 270mW 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 SC-88/SC70-6/SOT-363